| 型号：BSZ12DN20NS3G | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：8-PowerTDFN | 描述：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 11.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 125 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 25µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 8.7nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 680pF @ 100V |
| 功率_最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 包装 | Digi-Reel® |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
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| 深圳市裕硕科技有限公司 | 雷小姐086-0755-23613962/82706142 |
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